隨機存取47UF 35V存儲器

隨機存取存儲器
9.3.1 RAM的根基布局和事情道理

9.3.2 RAM的存儲單位
一、靜態隨機存取存儲器（SRAM）的存儲單位電路
1．存儲單位
2．列選擇線Y和讀／寫節制電路
二、動態隨機存取存儲器 (DRAM)的存儲單位電路

9.3.3 集成隨機存儲器2114A、2116先容
一、集成靜態存儲器2114A
二、集成動態存儲器2116

9.3.4 RAM的擴展
一、RAM的位擴展
二、RAM的字擴展
三、RAM的字、位擴展

9.3 隨機存取存儲器
9.3.1 RAM的根基布局和事情道理
利益：讀寫利便， ST電解電容，利用機動。
缺點：掉電丟失信息。

一、 RAM的布局和讀寫道理

1．存儲單位
存儲單位由V1～V6構成。兩個不變狀態，別離存儲數據1和0。
2．列選擇線Y和讀／寫節制電路
圖中V5、 V6為受列選擇線Y節制的門控管，G4、G5和三態門G1～G3組成讀／寫節制電路。
當列選擇線為低電子0時，V7、V8均截至，封閉了存儲單位位線與輸入/輸出端的通路，使存儲單位的數據不能讀出，也不能被外信號改寫。當列選線為高電平1時，V7、V8導通，對存儲單位可舉辦讀/寫操縱，由讀/寫節制電路和的狀態節制
二、動態隨機存取存儲器 (DRAM)的存儲單位電路
動態存儲單位是由MOS管的柵極電容C和門控管構成的。數據以電荷的形式存儲在柵極電容上，電容上的電壓高暗示存儲數據1；電容沒有儲存電荷，電壓為0，表白存儲數據0。因存在泄電，使電容存儲的信息不能持久保持，為防備信息丟失，就必需按時地給電容增補電荷，這種操縱稱為“刷新”，由于要不絕地刷新，所以稱為動態存儲。
包羅4管MOS動態存儲單位電路和單管MOS動態存儲單位等

9.3.3 集成隨機存儲器2114A、2116先容
回收數字電路網絡課程或PowerPoint
一、集成靜態存儲器2114A

Intel2114A是單片1 K×4位（即有1 K個字，每個字4位）的靜態存儲器（SRAM），它是雙列直插18腳封裝器件，回收5V供電， 33UF 100V，與TTL電平完全兼容。

二、集成動態存儲器2116

Intel 2116單片16 K×1位動態存儲器（DRAM），是典范的單管動態存儲芯片。它是雙列直插16腳封裝器件，回收+12V和 5V三組電源供電，其邏輯電平與TTL兼容。

9.3.4 RAM的擴展 （回收數字電路網絡課程或PowerPoint并舉辦接頭。）
當單片RAM不能滿意存儲容量的要求時，這時可把多個單片RAM舉辦組合，擴展成大容量存儲器。
一、RAM的位擴展

二、RAM的字擴展
字擴展就是把幾片溝通RAM的數據線并接在一起作為共用輸入輸出端（即位穩定），讀/寫節制線也接在一起，把地點線加以擴展，用擴展的地點線去節制各片RAM的片選線 。

三、RAM的字、位擴展
當RAM的位線和字線都需要擴展時，一般是先舉辦位擴展，然后再舉辦字擴展。