TI推出新一代1UF 50V 3A DDR 端接穩壓器

　　日前，德州儀器 (TI) 公布推出一款可滿意 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各類低功耗存儲器終端電源打點要求的汲極／源極雙數據速率 (DDR) 終端穩壓器 TPS51200。該輕便易用的新型穩壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF，比同類競爭辦理方案的電容低落了近 80%。這樣，設計人員可操作該器件實現更低本錢、更小型化的 DDR 存儲器終端辦理方案，以滿意數字電視、機頂盒、VGA 卡、電信、數據通信、條記本以及臺式機電腦等現代大容量存儲器電子產物以及日益富厚的消費類電子產物的需求。

　　高寬帶內部跨導， 100UF 25V，Gm放大器與積分動態電壓定位均可支持超快瞬態響應，并且外部輸出電容極小。在負載變換幅度為 -1.5A ～+1.5A的典范應用中，輸出電壓偏移小于 25 mV。TPS51200能在2.375 V~ 3.5V的偏置電壓下事情，這使它在系統僅有2.5V或3.3V電軌的條件下極具競爭力。另外，在RAM暫停事情時，該器件還支持S3 睡眠狀態節制。

　　TPS51200 也可用作輸入電壓范疇為 1.1V～3.5 V 的通用高機能低降壓 (LDO) 穩壓器。當啟用引腳毗連至系統總線電壓時，該器件支持跟蹤啟動與斷電成果，這使設計人員可以輕松實施多軌系統電壓排序，從而簡化設計流程。

　　TPS51200 的推出進一步加強了 TI 富厚的 DDR 存儲器電源辦理方案系列，個中包羅支持TPS51100 DDR 終端穩壓器， 22UF 63V，集成汲極／源極 LDO 的 TPS51116 DDR 電源轉換開關以及支持 DDR 終端的 TPS40042 低電壓跟蹤開關穩壓器。TPS51200 還進一步富厚了 TI 面向存儲器技能規模已經很是遍及的 DDR、DDR2 與 DDR3 鎖相環 (PLL) 以及 LDO 產物，個中包羅 SN74SSQE32882，作為支持寄存式雙列直插式存儲器模塊的 PLL 集成式 DDR3 寄存器，現已全面投入量產。
 
　　供貨環境
　　回收散熱機能加強型 SON-10 PowerPADTM集成電路封裝的 TPS51200 產物現已批量上市，可通過 TI 及其授權分銷商訂購。