功率場效應晶CK系列電解電容體管(MOSFET)道理

e絡盟供貨安世半導體功率氮化鎵場效應晶體管

全球電子元器件與開拓處事分銷商e絡盟公布供給安世半導體最新系列功率氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。該創新系列GaN FET外形尺寸小，可實現高功率密度及高效率功率轉換，可以或許以較低的本錢開拓出更高效系統，同時還可助力電動車、5G通信、物聯網等應用改造電源機能。跟著越來越多的立法提高碳排放減排要求，實現更高效的功率轉換和更高的電氣化程度勢在必行。GaN FET這一創新系列為設計工程師提供了真正辦理這些問題的有效方案。   GaN技能打破了硅基IGBT和SiC等現有技能的諸多范圍，可為各類功率轉換應用帶來直接和間接的機能效益。在電動車規模，GaN技能可直接低落功率損耗，從而為汽車實現更長的行駛里程

頒發于 2020-09-18

東芝面向超低功率MCU開拓隧穿場效應晶體管

    東京—東芝公司（TOKYO：6502）本日公布面向超低功率微節制器（MCU）開拓回收新事情道理的隧穿場效應晶體管（TFET）。該事情道理已經被應用到利用CMOS平臺兼容工藝的兩種差異的TFET開拓中。通過將每種TFET應用到一些電路塊中，可實現大幅低落MCU的功耗。     9月9日和10日，東芝在日本筑波舉行的2014年固態元件與質料（SSDM）國際集會會議上的三場展覽中展示了其TFET。個中的兩次展覽是成立在與日本財富技能綜合研究所（AIST）相助研究團隊綠色納米電子中心（GNC）的連系研究的基本上。     無線設備和移動設備

頒發于 2014-10-17

新型高耐壓功率場效應晶體管

layer; On resistance; SCSOA  1   引言     在功率半導體器件中，MOSFET以其高開關速度，低開關損耗，低驅動損耗等特點而在各類功率調動， 680uf 35v，出格是在高頻功率調動中飾演著主要腳色。但跟著MOS耐壓的提高，其導通電阻也隨之以2.4～2.6次冪增長，其增長速度使MOSFET制造者和應用者不得不以數十倍的幅度低落額定電流， 47UF 35V，以折中額定電流、導通電阻和本錢之間的抵牾。即便如此，高壓MOSFET在額定結溫下的導通電阻發生的導通壓降仍居高不下，如表1所示。 表1管芯面積臨近，耐壓差異的MOSFET的導通壓降和新型布局MOSFET的導通壓降

頒發于 2011-05-20

功率場效應晶體管MOSFET

1.概述　　　　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）操作電場的效應來節制半導體（S）的場效應晶體管。 　　功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但凡是主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感到晶體管（Static Induction Transistor——SIT）。其特點是用柵極電壓來節制漏極電流，驅動電路簡樸，需要的驅動功率

頒發于 2007-05-28