1引言
絕緣柵控雙極型晶體管IGBT的驅動問題是制約IGBT應用的要害技能之一。驅動電路機能欠好,經常會造樂成率IGBT的擊穿和損壞。因此為辦理IGBT的驅動問題,世界上各IGBT制造商都在出產IGBT的同時,配套出產了其專用柵極驅動集成電路或模塊。如西門康公司的SKHI21、 SKHI22驅動模塊、日本富士公司的EXB8系列、日本三菱公司的M579系列等。在海內各人較量留意和應用較多的是日本富士公司的EXB840、 EXB850、EXB841和日本東芝公司的M57962L、M57959L,但這些驅動器在事情頻率高出30kHz時,其脈沖前后沿便變得較差,且內部回收印刷電路板設計,因此散熱不是很好,加之提供負柵偏壓的穩壓管被封裝在集成電路內部,這樣就大概因該穩壓管的損壞而使整個驅動芯片損壞,別的,由于穩壓管的穩壓值僅5V,這使得IGBT關斷時負偏壓偏低,從而導致該類柵極驅動芯片對IGBT驅動的不行靠,本文先容的陜西高科電力電子有限責任公司出產的 HL402A(B)IG-BT驅動集成電路可以補充EXB8系列和M579系列 IGBT驅動器的以上不敷。
2 HL402A(B)簡介
HL402驅動器是國度“八五”攻關新成就,為國度級新產物。它具有先降柵壓、后軟關斷的雙重掩護成果,其降柵壓延遲時間、降柵壓時間、軟關斷斜率均可通過外接電容器舉辦整定,因而能適應差異飽和壓降IGBT的驅動和掩護。它的研制樂成填補了海內空缺,到達了國際90年月的先歷程度。
2.1引腳分列及成果
HL402的外形尺寸及引腳分列如圖1所示。它回收單列直插式尺度17引腳厚膜集成電路封裝,共有15個引腳。各引腳的成果如下:
●引腳17:內置靜電屏蔽層的高速光耦合器陽極毗連端。應用中通過一電阻接正電源,亦可通過一電阻接用戶脈沖形成單位輸出端,要求提供的電流幅值為12mA,無論是接用戶脈沖形成部門的輸出照舊接正電源,串入的電阻值均可按下式計較:
R=VIN-2V/12mA(kΩ)
●引腳16:內置靜電屏蔽層的高速光耦合器陰極毗連端。應用中直接接用戶脈沖形成部門的輸出(當引腳17通過電阻接正電源時),亦可直接與節制脈沖形成部門的地相毗連(當引腳17接脈沖形成部門的脈沖輸出時)。
●引腳2:被驅動的IGBT脈沖功率放大輸出級正電源毗連端。應用中接驅動輸出級電源,要求提供的電壓為25~28V。
●引腳4:被驅動的IGBT脈沖功率放大輸出級正電源參考地端。
●引腳5、10:為軟關斷斜率電容器C5毗連端(其引腳10在HL202內部已與引腳4接通)。該兩頭所接電容量的巨細抉擇著被驅動的IGBT軟關斷斜率的快慢,推薦值為1000~3000pF。
●引腳11、10:降柵壓延遲時間電容器C6的毗連端。該兩頭所接電容器電容量的巨細抉擇著降柵壓延遲時間的是非,該電容的推薦值為0~200pF,當該電容的容量較大時,短路電流峰值也較大,所以此電容一般可不接。
●引腳12、10:降柵壓時間按時電容器C7的毗連端。當該電容器較大時,顛末較長的降柵壓時間后,被驅動的IGBT才關斷,這意味著造成被驅動的IGBT損壞的危險性將增加。所以C7的值不能取得太大,但也不能取得太小,過小的C7將造成被驅動的IGBT快速降柵壓后關斷,這有大概導致回路中的電感因被驅動的IGBT快速關斷而引起過高的尖峰過電壓,從而擊穿被驅動的IGBT,所以C7的取值要適當,一般推薦值為510~1500pF。
●引腳1:驅動輸出脈沖負極毗連端。利用時,接被驅動IGBT的發射極。
●引腳3:驅動輸出脈沖正極毗連端。利用中經電阻RG后直接接被驅動IGBT的柵極。電阻RG的取值隨被驅動IGBT容量的差異而差異,當被驅動的IGBT為50A/1200V時,RG的典范值應為0~20Ω/1W。
●引腳9:降柵壓信號輸入端。利用中需經快規復二極管接至被驅動IGBT的集電極, 1000UF 16V, 電解電容廠家,當需要低落行動門限電壓值時,可再反串一個穩壓二極管(穩壓管的陰極接引腳9)。需要留意的是:該快規復二極管必需是高壓、超高速快規復型,其規復時間應不高出50ns,經反串穩壓二極管后,本來的行動門限電壓(8.5V)減去穩壓管的穩壓值即為新的門限電壓。降柵壓成果可通過將引腳13與引腳10相短接而刪除。
●引腳6:軟關斷報警信號輸出端,最大負載本領為20mA。它可作為被驅動的輸入信號的封閉端,可通過光耦合器(引腳6接光耦合器陰極)來封閉節制脈沖形成部門的脈沖輸出,亦可通過光耦合器來發動繼電器,從而分斷被驅動IGBT地址的主電路。
●引腳8:降柵壓報警信號輸出端,最大輸出電流為5mA。該端可通過光耦合器(引腳8接光耦合器陰極)來封閉節制脈沖形成部門的脈沖輸出,亦可通過光耦合器來發動繼電器,從而分斷被驅動的IGBT地址的主回路。
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